等級(jí)KXS-FPF2x1.02x1.5變頻器接線要求1)變頻器和電機(jī)的距離應(yīng)該盡量的短。這樣減小了電纜的對(duì)地電容，減少干擾的發(fā)射源。2)電機(jī)電纜應(yīng)獨(dú)立于其它電纜走線，其距離為500mm。同時(shí)應(yīng)避免電機(jī)電纜與其它電纜長(zhǎng)距離平行走線，這樣才能減少變頻器輸出電壓快速變化而產(chǎn)生的電磁干擾。如果控制電纜和電源電纜交叉，應(yīng)盡可能使它們按90度角交叉。與變頻器有關(guān)的模擬量信號(hào)線與主回路線分走線，即使在控制柜中也要如此。3)模擬量控制線選用屏蔽線，屏蔽一端接變頻器控制電路的公共端(COM)，不要接變頻器地端或大地，另一端懸空;動(dòng)力電纜選用屏蔽或者從變頻器到電機(jī)全部用穿線管屏蔽，或遵從變頻器的用戶手冊(cè)。
高溫鎧裝計(jì)算機(jī)電纜

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F46氟塑料絕緣和護(hù)套鋼帶鎧裝銅絲編織總屏蔽耐高溫防腐計(jì)算機(jī)電纜

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F46氟塑料絕緣和護(hù)套細(xì)鋼絲鎧裝銅絲編織總屏蔽耐高溫防腐計(jì)算機(jī)電纜

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F46氟塑料絕緣和護(hù)套軟芯銅絲編織總屏蔽耐高溫防腐計(jì)算機(jī)電纜

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F46氟塑料絕緣和護(hù)套鋼帶鎧裝軟芯銅絲編織總屏蔽耐高溫防腐計(jì)算機(jī)電纜

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KXS-FPF2x1.02x 當(dāng)IO處輸入低電平，三極管截止，OUT通過(guò)上拉電阻R1和電源V+的電壓一致，所以O(shè)UT輸出高電平。像這種內(nèi)置了上拉電阻的NPN型輸出類型，在斷電時(shí)候，完全可以通過(guò)萬(wàn)用表的電阻檔，測(cè)量到傳感器的電源V+和OUT之間的上拉電阻，這種電阻往往是1-10K之間。而測(cè)量OUT和地之間的的電阻，如果是9013這種三極管，集電極和發(fā)射機(jī)之間的電阻，理論是無(wú)窮大，用MF-47這類模擬表*10檔測(cè)量，讀數(shù)大概是50。

F46氟塑料絕緣和護(hù)套細(xì)鋼絲鎧裝銅絲編織分屏蔽和總屏蔽耐高溫防腐計(jì)算機(jī)電纜

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F46氟塑料絕緣和護(hù)套鋼帶鎧裝軟芯銅絲編織分屏蔽和總屏蔽耐高溫防腐計(jì)算機(jī)電纜

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F46氟塑料絕緣和護(hù)套細(xì)鋼絲鎧裝銅絲編織分屏蔽和總屏蔽軟芯耐高溫防腐控制電纜

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F46氟塑料絕緣和護(hù)套鋼帶鎧裝軟芯銅絲編織總屏蔽軟芯耐高溫防腐計(jì)算機(jī)電纜

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F46氟塑料絕緣和護(hù)套細(xì)鋼絲鎧裝銅絲編織分屏蔽耐高溫防腐計(jì)算機(jī)電纜

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F46氟塑料絕緣和護(hù)套鋼帶鎧裝軟芯銅絲編織分屏蔽耐高溫防腐計(jì)算機(jī)電纜
KXS-FPF2x1.02x1.5電壓等級(jí)KXS-FPF2x1.02x1.5正接時(shí)候，R1VGS電壓，MOS飽和導(dǎo)通。反接的時(shí)候MOS不能導(dǎo)通，所以起到防反接作用。功率MOS管的Rds（on）只有20mΩ實(shí)際損耗很 18W根本不用外加散熱片。解決了現(xiàn)有采用二極管電源防反接方案存在的壓降和功耗過(guò)大的問(wèn)題。VZ1為穩(wěn)壓管防止柵源電壓過(guò)高擊穿mos管。P溝道MOS管防反接保護(hù)電路電路如示因?yàn)镹MOS管的導(dǎo)通電阻比PMOS的小且價(jià)格相對(duì)更便宜，選NMOS。