熱電偶的劣化熱電偶的使用壽命是大家非常關(guān)心的事，否則，心中無數(shù)將十分被動。熱電偶的使用壽命與其劣化有關(guān)，所謂熱電偶的劣化，即熱電偶經(jīng)使用后，出現(xiàn)老化變質(zhì)的現(xiàn)象。由金屬或合金構(gòu)成的熱電偶，在高溫下其內(nèi)部晶粒要逐漸長大。同時合金中含有少量雜質(zhì)，其位置或形狀也將發(fā)生變化，而且，對周圍環(huán)境中的還原或氧化性氣體也要發(fā)生反應(yīng)。伴隨上述變化，熱電偶的熱電動勢也將極其敏感的發(fā)生變化。因此熱電偶的劣化現(xiàn)象是不可避免的。KXFGRP、KXFGR耐高溫補(bǔ)償導(dǎo)線含稅含運費KXFGRP、KXFGR耐高溫補(bǔ)償導(dǎo)線電機(jī) 電纜型號、名稱/型號名稱1、JF（JBF）銅芯丁晴聚氯乙復(fù)合物絕緣電機(jī)繞組引接電纜（電線）2、JXN（JBQ）銅芯橡皮絕緣丁晴護(hù)套電機(jī)繞組引接電纜（電線）3、JXF（JBHF）銅芯橡皮絕緣氯丁護(hù)套電機(jī)繞組引接電纜（電線）4、JE（JFE）銅芯乙丙橡皮絕緣電機(jī)繞組引接電纜（電線）5、JEH（JFEH）銅芯乙丙橡皮絕緣氯磺化聚乙護(hù)套電機(jī)繞組引接電纜（電線）6、JEM（JFEM）銅芯乙丙橡皮絕緣氯醚護(hù)套電機(jī)繞組引接電纜（電線）7、JH（JBYH）銅芯氯磺化聚乙絕緣電機(jī)繞組引接電纜（電線）8、JYJ銅芯交聯(lián)聚烴絕緣電機(jī)繞組引接電纜（電線）9、JQ-150 150℃銅芯交聯(lián)聚烴絕緣電機(jī)繞組引接電纜（電線）10、JG（JHG）銅芯硅橡皮絕緣電機(jī)繞組引接電纜（電線）

二、產(chǎn)品特性：1、JF、JXN、JXF連續(xù)運行導(dǎo)體溫度為70℃。2、JE、JEH、JEM、JH連續(xù)運行導(dǎo)體溫度為90℃。  3、JYJ連續(xù)運行溫度為125℃。   JQ連續(xù)運行溫度為150℃。4、JG連續(xù)運行導(dǎo)體溫度為180℃。本產(chǎn)品適用于固定敷設(shè)在交流50HZ、額定電壓35KV及以下的電力輸配電線路上作輸送電能用。 2、使用特性

1）　　電纜導(dǎo)體的額定溫度為90℃。

2）　　短路時（ 長待續(xù)時間不超過5s）電纜導(dǎo)體的溫度不超過250℃

3）　　敷設(shè)電纜時的環(huán)境溫度應(yīng)不低于0℃。 3、主要技術(shù)性能

1）　　電纜主要技術(shù)性能指標(biāo)參數(shù)見表1.

2）　　導(dǎo)體直流電阻見附錄A
KXFGRP、KXFGR耐高溫補(bǔ)償導(dǎo)線含稅含運費KXFGRP、KXFGR耐高溫補(bǔ)償導(dǎo)線三相異步電動機(jī)星三角啟動電氣控制圖詳解1.一次圖畫法：均可表示星三角的一次圖畫法形式。星三角啟動：啟動過程：就是先星型啟動（"Y型啟動"），經(jīng)過時間繼電器切換到三角形（"△型啟動"）。為什么叫星三角起動？其實是三相異步電動機(jī)定子繞組的接線，先接成星（Y）型，再切換后接成三角(△)型，如下圖圖注：U1表示繞組首端，U2表示繞組末端，其他類推。星型和三角形上下兩個圖是一樣的，紅色線表示連接起來三角形要首尾相接怎樣接通切換？1.利用接觸器和時間繼電器，這里的接觸器分別用途：主用的KM,Y型用的KM,△型用的KM（這里并不是說有 的這種Y△接觸器,而是說這接觸器用來實現(xiàn)怎么樣的控制功能）時間繼電器：通電延時型時間繼電器2.起動過程：按下起動按鈕rarr;接觸器動作接成星型rarr;經(jīng)過時間繼電器延時rarr;切換到三角型.一，二次原理圖主KM：從按下啟動按鈕時會一直吸合的接觸器。

3）　　電力電纜電容、電感、電抗見附錄D 4、產(chǎn)品命名

1）　　電纜型號用字母及數(shù)字含義

T-銅導(dǎo)體（省略）

L-鋁導(dǎo)體

YJ-交聯(lián)聚乙（XLPE）絕緣

V-聚氯乙（PVC）護(hù)套

Y-聚乙（PE）護(hù)套

2)產(chǎn)品表示方法

產(chǎn)品用型號、規(guī)格和標(biāo)準(zhǔn)標(biāo)號表示。

示例：交聯(lián)聚乙絕緣鋼帶鎧裝聚氯乙護(hù)套電力電纜，額定電壓8.7/10KV，3芯，標(biāo)稱截 FGRP、KXFGR耐高溫補(bǔ)償導(dǎo)線含稅含運費KXFGRP、KXFGR耐高溫補(bǔ)償導(dǎo)線主要用于存儲程序中的變量。在單芯片單片機(jī)中（*1），常常用SRAM作為內(nèi)部RAM。SRAM允許高速訪問，內(nèi)部結(jié)構(gòu)太復(fù)雜，很難實現(xiàn)高密度集成，不適合用作大容量內(nèi)存。除SRAM外，DRAM也是常見的RAM。DRAM的結(jié)構(gòu)比較容易實現(xiàn)高密度集成，比SRAM的容量大。將高速邏輯電路和DRAM于同一個晶片上較為困難，一般在單芯片單片機(jī)中很少使用，基本上都是用作外圍電路。（*1）單芯片單片機(jī)是指：將CPU，ROM，RAM，振蕩電路，定時器和串行I/F等集成于一個LSI的微器。