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當光線通過這些透鏡單元后，就會形成明暗相間的可見區(qū)和盲區(qū)。由于每一個透鏡單元只有一個很小的視角，視角內(nèi)為可見區(qū)，視角外為盲區(qū)。任何兩個相鄰透鏡單元之間均以一個盲區(qū)和可見區(qū)相間隔，它們斷續(xù)而不重疊和交叉，如a。這樣，當把透鏡放在傳感器正前方的適當位置時，運動的人體一旦出現(xiàn)在透鏡的前方，人體輻射出的紅外線通過透鏡后在傳感器上形成不斷交替變化的陰影區(qū)（盲區(qū)）和明亮區(qū)（可見區(qū)），使傳感器表面的溫度不斷發(fā)生變化，從而輸出號。
所以，如想使電流信號在電纜周圍產(chǎn)生磁場，流經(jīng)線芯與金屬護層的電流值就不能相等，必須有一部分電流從其它導體分流，這里的其它導體就是大地，從大地中分流的電流I，是路徑探測的關鍵，I，越大，電纜周圍的磁場就越大。相對耦合法，直連法給電纜施加信號較強，優(yōu)先使用直連法，且使用相和大地之間注入信號的接線方式（鎧裝懸空）；由于110kV電纜的護層存在一定感應電壓，采用耦合夾鉗的接線方式時，不可將夾鉗鉗口完全閉合，否則會在環(huán)形夾鉗上形成感應電流損壞儀器，此時在閉合鉗口墊上一張薄紙片即可；采用直連法（金屬護層和地之間注入信號的接線方式）時更不能直接接線，此時可增加一個信號發(fā)生器LVD5000屏蔽此感應電壓，防止損壞設備或造成干擾。
MOS管種類和結構MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。右圖是這兩種MOS管的符號。至于為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問底。對于這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導通電阻小且容易。所以關電源和馬達驅動的應用中，一般都用NMOS。
有氣體既可以存在于生產(chǎn)原料中，如大多數(shù)的有機化學物質（VOC），也可能存在于生產(chǎn)過程的各個環(huán)節(jié)的副產(chǎn)品中，如氨、 、 等等。它們是對工作人員造成危害的危險因素。這種危害不僅包括立即的傷害，如身體不適、發(fā)、死亡等等，而且包括對于人體長期的危害，如致殘、癌變等等。對于這些有有害氣體的檢測是我們發(fā)展家應當始引起充分重視的問題。表：常見有有害氣體的TWA（8小時統(tǒng)計權重平均值）、STEL（15分鐘短期暴露水平）、IDLH（立即致死量）（ppm）和MAC（車間允許濃度）mg/m3。
對于我們設備中使用的壓敏電阻，原選用型號為14D101K，實際運行3個月中，此型號壓敏電阻經(jīng)常燒毀。后改為14D121K，實際運行3個月，沒有發(fā)現(xiàn)燒壞。所以，為指導以后工作，整理并學習此，并在整理過程中，發(fā)現(xiàn)壓敏電阻不應該直接并接在元件的輸入端。具體壓敏電阻的如下：壓敏電阻的原理壓敏電阻意思是"在一定電流電壓范圍內(nèi)電阻值隨電壓而變"，或者是說"電阻值對電壓敏感"的阻器。相應的英文名稱叫“VoltageDependentResistor”簡寫為“VDR”。
盡量擴大測量動態(tài)范圍1)通過計算平均值提高測量分辨率2)利用高分辨率采集提高測量分辨率3)使用交流耦合去除直流偏置4)使用示波器和探頭限制帶寬選擇優(yōu)化信號完整性的探測方法5)使用差分探頭進行安全且的浮置測量6)不要選擇耦合輻射功率的探測附件7)選擇避示波器 靈敏設置的探頭秘訣一:通過計算平均值提高測量分辨率在某些功率測量應用中，您需要測量大動態(tài)范圍的值，同時還需要精細的分辨率，以測量參數(shù)的微小變化。
新一代無源光網(wǎng)絡(PON)Tyndall光電子封裝小組研究經(jīng)理Dr.LeeCarroll表示：“過去的十年見證了硅光子從出現(xiàn)到成為新一代信息通信技術應用媒介的發(fā)展過程。采用面對面疊加法（3D集成）在硅光子集成電路(Si-PIC)頂部驅動器電子集成電路是一種基于光電子實現(xiàn)高速電子解調與分配的實用方案。Tyndall研究院目前正在研發(fā)用于高速家用光纖網(wǎng)絡連接的新一代無源光網(wǎng)絡(PON)演示模塊。